电子迁移率(英語:electron mobility)是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子,在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中,另一个类似的物理量称为空穴迁移率(hole mobility)。人们常用载流子迁移率(carrier mobility)来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。
外部链接
- The minority Carrier Lifetime in silicon wafer (页面存档备份,存于互联网档案馆)
- semiconductor glossary entry for electron mobility (页面存档备份,存于互联网档案馆)
- Resistivity and Mobility Calculator from the BYU Cleanroom
- Online lecture- Mobility (页面存档备份,存于互联网档案馆) from an atomistic point of view
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